UBD32C05L01
ESD 5V截止 峰值浪涌电流:3A@8/20us
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- 描述
- 瞬态电压抑制器 UBD32C05L01 旨在保护低电压、先进的 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该器件采用 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD 工艺可提供低关断电压,并显著降低漏电流和电容。结合低漏电流特性,这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。该器件可用于保护两对高速线路。“直连式”设计可将走线电感降至最低,并减少与 ESD 事件相关的电压过冲。该器件的低钳位电压可将受保护 IC 所承受的应力降至最低。该器件的 TVS 二极管符合 IEC61000-4-2 4 级浪涌要求。
- 品牌名称
- Brightking(君耀电子)
- 商品型号
- UBD32C05L01
- 商品编号
- C523540
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3A@8/20us | |
| 击穿电压 | 6V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.4pF |
商品概述
瞬态电压抑制器 UBD32C05L01 旨在保护低压、先进的 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该器件采用 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD 工艺可提供低关断电压,并显著降低漏电流和电容。再加上低漏电流,这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。该器件可用于保护两对高速线路。“直连式”设计可将走线电感降至最低,并减少与 ESD 事件相关的电压过冲。该器件的低钳位电压可将受保护 IC 承受的应力降至最低。该器件的 TVS 二极管符合 IEC61000 - 4 - 2 4 级浪涌要求。
商品特性
- 符合 IEC61000 - 4 - 2 ESD 15KV 空气放电、8KV 接触放电标准
- SOD - 323 表面贴装封装
- 保护一条 I/O 线路
- 工作电压:5V
- 低漏电流
- 低工作电压和钳位电压
- 固态硅雪崩技术
- 无铅/符合 RoHS 标准
- 阻燃等级 UL 94V - 0
- 符合 J - STD - 020 的 MSL 1 级标准
- 通过 AEC - Q101 认证
- 标记:35
应用领域
-高速数据线-基于微处理器的设备-局域网/广域网设备-台式电脑和服务器-笔记本电脑、便携式电脑和平板电脑-便携式仪器-外设-通用串行总线 (USB) 端口保护
