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UBD32C05L01

ESD 5V截止 峰值浪涌电流:3A@8/20us

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描述
瞬态电压抑制器 UBD32C05L01 旨在保护低电压、先进的 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该器件采用 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD 工艺可提供低关断电压,并显著降低漏电流和电容。结合低漏电流特性,这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。该器件可用于保护两对高速线路。“直连式”设计可将走线电感降至最低,并减少与 ESD 事件相关的电压过冲。该器件的低钳位电压可将受保护 IC 所承受的应力降至最低。该器件的 TVS 二极管符合 IEC61000-4-2 4 级浪涌要求。
商品型号
UBD32C05L01
商品编号
C523540
商品封装
SOD-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.046克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压20V
峰值脉冲电流(Ipp)3A@8/20us
击穿电压6V
反向电流(Ir)1uA
属性参数值
通道数双路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.4pF

商品概述

瞬态电压抑制器 UBD32C05L01 旨在保护低压、先进的 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该器件采用 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD 工艺可提供低关断电压,并显著降低漏电流和电容。再加上低漏电流,这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。该器件可用于保护两对高速线路。“直连式”设计可将走线电感降至最低,并减少与 ESD 事件相关的电压过冲。该器件的低钳位电压可将受保护 IC 承受的应力降至最低。该器件的 TVS 二极管符合 IEC61000 - 4 - 2 4 级浪涌要求。

商品特性

  • 符合 IEC61000 - 4 - 2 ESD 15KV 空气放电、8KV 接触放电标准
  • SOD - 323 表面贴装封装
  • 保护一条 I/O 线路
  • 工作电压:5V
  • 低漏电流
  • 低工作电压和钳位电压
  • 固态硅雪崩技术
  • 无铅/符合 RoHS 标准
  • 阻燃等级 UL 94V - 0
  • 符合 J - STD - 020 的 MSL 1 级标准
  • 通过 AEC - Q101 认证
  • 标记:35

应用领域

-高速数据线-基于微处理器的设备-局域网/广域网设备-台式电脑和服务器-笔记本电脑、便携式电脑和平板电脑-便携式仪器-外设-通用串行总线 (USB) 端口保护

数据手册PDF