温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HW12P180S
P沟道MOSFET，具备高功率和电流处理能力，电压控制小信号开关，开关速度快
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HW12P180S
- 商品编号
- C51325145
- 商品封装
- DFN2020-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04553克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.865nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 217pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -12 V
- 漏极电流(ID) = -12 A
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 18 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 22 mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器