AO3400

AO3400

描述

该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为6A，最大漏源电压（VDSS）为30V，在栅源电压（VGS）为12V时，导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ。其N沟道结构适合用于低侧开关配置，能够在较高频率下实现高效开关操作。较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升整体能效，适用于对功耗敏感的电路设计。典型应用包括便携式电子设备、电源转换模块以及各类需要高效负载控制的消费类电子产品。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AO3400

商品编号

C51042779

商品封装

SOT-89​

包装方式

编带

商品毛重

0.096482克(g)