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AO3400
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为6A，最大漏源电压（VDSS）为30V，在栅源电压（VGS）为12V时，导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ。其N沟道结构适合用于低侧开关配置，能够在较高频率下实现高效开关操作。较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升整体能效，适用于对功耗敏感的电路设计。典型应用包括便携式电子设备、电源转换模块以及各类需要高效负载控制的消费类电子产品。
- 商品型号
- AO3400
- 商品编号
- C51042779
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096482克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 602pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AO3400采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 6A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源