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QX851-CuH-S
DC 5kV
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- 描述
- SMD4封装单通道晶体管光耦，5000V隔离电压，50-600%电流传输比
- 品牌名称
- NQUNXIN(群芯微电子)
- 商品型号
- QX851-CuH-S
- 商品编号
- C51026143
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173858克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 350V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@20mA,1mA | |
| 上升时间(tr) | 4us | |
| 下降时间 | 5us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 50% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 600% | |
| 总功耗(Pd) | 200mW | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
QX851是一款由发光二极管和光电晶体管组成的高耐压光电耦合器，其集电极-发射极击穿电压VCEO ≥ 350V。该器件采用四引脚封装，提供多种封装形式。
商品特性
- 电流转换比范围：50% ~ 600% (IF = 5mA, VCE = 5V)
- 输入-输出隔离电压高：VISO = 5000 Vrms
- 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 350V
- 工作温度范围：-55°C ~ +100°C
- 符合加强绝缘标准
- 符合安规标准：UL1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE0884-5)，CQC11-471543-2022
应用领域
- 开关电源
- 智能电表
- 工业控制
- 测量仪器
- 办公设备
- 家用电器