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MS80N65ICC0实物图
  • MS80N65ICC0商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS80N65ICC0

超低导通电阻、超低栅极电荷MOSFET

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描述
650V 80A MOSFET
商品型号
MS80N65ICC0
商品编号
C50726510
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
耗散功率(Pd)227W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)95nC@10V
输入电容(Ciss)4.346nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)75pF

商品特性

  • 超低导通电阻RDS(on)(典型值) = 40 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值Qg = 95 nC)
  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF