温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BS250
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |