VO3150A-X007T

VO3150A由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达800 V/20 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，VO3150A可用于驱动分立功率级，进而驱动IGBT栅极。

• 最小峰值输出电流0.5 A
• 在VCM = 1500 V时，最小共模抑制比（CMR）为25 kV/μs
• 最大电源电流ICC = 2.5 mA
• 带迟滞的欠压锁定（UVLO）
• 宽工作VCC范围：15 V至32 V
• 最大传播延迟0.4 μs
• 工业温度范围：-40 °C至110 °C
• 最大低电平输出电压（VOL）为0.5 V
• 符合RoHS指令2002/95/EC

• 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
• 交流和无刷直流电机驱动器
• 电磁炉
• 工业逆变器
• 开关模式电源（SMPS）