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AO3407A
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- AO3407A
- 商品编号
- C50581527
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
AO3407A是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 AO3407A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。 提供绿色环保器件 超低栅极电荷 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术