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5N10-HXY
N沟道增强型MOSFET,电流:5A,耐压:100V
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装技术，额定电压100V，具备5A大电流处理能力。拥有低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用场合，提供高效能与稳定的功率控制解决方案。
- 商品型号
- 5N10-HXY
- 商品编号
- C4748807
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AON3419采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -32A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器