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IXFX120N65X2
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 低栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFX120N65X2
- 商品编号
- C515598
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.7nF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 出色的品质因数（FoM）
- 低反向传输电容与输入电容比（Crss/Ciss），具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
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