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CSNP4GCR01-DPW实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CSNP4GCR01-DPW

CS SDNAND 4Gb SLC 擦写寿命长 高性价比

描述
SD NAND 4Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.耐高温,具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.别称:mini eMMC/贴片式TF卡
品牌名称
CS(创世)
商品型号
CSNP4GCR01-DPW
商品编号
C50396672
商品封装
LGA-8(6x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量4Gbit
接口类型SD接口;SPI
时钟频率(fc)50MHz
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)-
属性参数值
块擦除时间(tBE)-
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+85℃
待机电流70uA
擦写寿命-
功能特性坏块管理功能;硬件写保护功能;ECC纠错功能;软件写保护功能
ECC

商品概述

CSNP4GCR01-DPW 是一款基于 NAND Flash 和 SD 控制器的 4Gb 密度嵌入式存储产品。相较于原始 NAND,该产品具备多项优势,包括内置坏块管理和更强大的嵌入式纠错码。即使在异常断电情况下,仍能确保数据安全。该产品采用 LGA-8 封装,尺寸为 8mm × 6mm × 0.8mm。

商品特性

  • 默认模式:可变时钟频率 0 ~ 25 MHz,接口速度最高可达 12.5 MB/sec(使用 4 条并行数据线);高速模式:可变时钟频率 0 ~ 50 MHz,接口速度最高可达 25 MB/sec(使用 4 条并行数据线)
  • 接口:符合 SD 2.0 版标准规范,支持 1-I/O 和 4-I/O 模式
  • 电源电压:VCC = 2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度范围:-40℃ ~ +85℃;存储温度范围:-55℃ ~ +125℃
  • 待机电流:< 100uA
  • 切换功能命令支持高速、电子商务及未来功能
  • 支持存储区错误校正
  • 内容保护机制 - 符合 SDMI 标准的最高安全等级
  • 支持 SDNAND 密码保护(CMD42 - LOCK_UNLOCK)
  • 支持使用机械开关的写保护功能
  • 内置写保护功能(永久和临时)
  • 支持特定应用命令
  • 便捷的擦除机制

数据手册PDF