立创商城logo
购物车0
DD006NG-A实物图
  • DD006NG-A商品缩略图
  • DD006NG-A商品缩略图
  • DD006NG-A商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DD006NG-A

N沟道 40V 100A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
N管40V/100A/5.5MΩ/(典型4.2MΩ)
商品型号
DD006NG-A
商品编号
C50394174
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.446296克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)142W
阈值电压(Vgs(th))1.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
输入电容(Ciss)3.777nF
反向传输电容(Crss)223pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)266pF

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的RDS(on)和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • VDS=40V,ID=100A,在VGS=10V时RDS(ON)<5.5mΩ
  • 低栅极电荷。
  • 提供绿色环保器件。
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
  • 封装优良,散热性能好。

数据手册PDF