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PJMG35N60DL
PJMG35N60DL
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- 描述
- P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-50A ,RDS(ON)<10mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<14mΩ@Vgs=-4.5V, 通过 100% 雪崩测试
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJMG35N60DL
- 商品编号
- C50387320
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 256pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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