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IMZA120R026M2HXKSA1
碳化硅MOSFET，具备XT互连技术，低开关损耗，抗寄生导通，体二极管耐用，热性能好
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZA120R026M2HXKSA1
- 商品编号
- C50383066
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 耗散功率(Pd) | 289W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ |
商品概述
引脚定义：
- 引脚1 – 漏极
- 引脚2 – 源极
- 引脚3 – 开尔文检测触点
- 引脚4 – 栅极
注意：源极引脚和检测引脚不可互换，互换可能导致故障
商品特性
- 在Tᵥⱼ = 25°C时，V_DSS = 1200 V
- 在T_C = 100°C时，I_DDC = 49 A
- 在V_GS = 18 V、Tᵥⱼ = 25°C时，R_DS(on) = 25 mΩ
- 极低的开关损耗
- 过载运行可达Tᵥⱼ = 200°C
- 短路承受时间2 μs
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加0 V关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用.XT互连技术，具备一流的热性能
应用领域
- 通用驱动器(GPD)
- 电动汽车充电
- 在线式UPS/工业UPS
- 串式逆变器
- 储能系统(ESS)
- 焊接
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