SDTRUVAL(信德) 1Gb SD NAND 消费级 贴片式TF卡 SLC SDNAND 小型封装6x8mm
- 工业品
价格：￥9.31价格含税（税率13%）
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200+￥7.2
- 品牌名称
- SDTRUVAL(信德)
- 商品型号
- SDG01GWSIGA-C
- 商品编号
- C50331915
- 商品毛重
1克(g)
尺寸
容量
广东仓360
购买数量
个
(480个/托盘，最小起订量1个，递增量：1)
总价金额：
￥0.00近期成交87单
- 商品参数
- 商品详情
- 规格书
商品参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 商品目录 | 存储产品 |
| 内存 | 1Gbit |
| 尺寸 | LGA-8(6x8mm) |
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 工作温度 | -20℃~70℃ |
| 储存温度 | -55~+125℃ |
| 闪存类型 | SLC |
商品详情
产品特点 FEATURES
该款SDTRUVAL（信德）SDG01GWSIGA-C贴片式存储卡为消费级SD NAND类型，采用SLC闪存技术，具备高可靠性和长寿命特性。其容量为1Gbit（约118MByte），适合对数据稳定性和读写性能有要求的嵌入式应用。产品封装为LGA-8小型化设计，尺寸仅为6×8mm，适用于空间受限的电路板布局。支持SD2.0接口标准，兼容SD模式和SPI模式，可灵活适配不同主机系统。工作电压范围为2.7V至3.6V，典型工作电压为3.3V，满足主流MCU和处理器供电需求。读取速度可达4MB/s，写入速度达13MB/s，在50MHz时钟频率下实现高效数据传输。内置硬件ECC引擎与先进的坏块管理、磨损均衡机制，显著提升数据完整性和设备稳定性。支持静态、动态及全局磨损均衡，有效延长闪存寿命。具备读干扰管理、动态数据刷新和最佳级别的断电保护功能，确保在突发断电情况下仍能保障数据安全。工作温度范围为-20℃至+70℃，存储温度可达-55℃至+125℃，适应多种工业与消费类环境使用。低功耗设计，待机电流低于70μA，读取电流约27mA，写入电流约16mA，适合电池供电或节能型系统。提供完整的寄存器信息（OCR、CID、CSD等），便于系统初始化和状态监控。
使用场景 APPLICATIONS
适用于需要高可靠性、小体积、低功耗嵌入式存储方案的各类电子设备，包括但不限于：
1
智能穿戴设备（如智能手表、手环）
2
物联网终端（IoT传感器节点、智能家居控制器）
3
工业控制模块（PLC、HMI人机界面）
4
车载电子系统（行车记录仪、车载导航辅助单元）
5
便携式医疗设备（血糖仪、血压计等）
6
数码相机、摄像机的内部存储扩展
7
移动电源、充电宝中的固件存储
8
各类MCU控制板的数据存储单元
由于其支持SD和SPI双模式通信，可广泛应用于基于ARM、ESP32、STM32等微控制器平台的项目中。尤其适合对启动时间、数据安全性、长期运行稳定性要求较高的应用场景。
注意事项 PRECAUTIONS
1
本产品为消费级等级，不建议用于极端工业环境或持续高温高湿工况。
2
在进行上电操作前，请确保VDD电压从0V上升至2.7V以上的时间不超过250ms，并至少发送74个空闲时钟周期以完成初始化。
3
上电过程中，需保证VDD电压先降至0.5V以下并维持至少1ms，再开始升压，以避免误触发。
4
建议在VDD引脚旁接一个2.2μF的去耦电容，以稳定供电电压。
5
CMD和DAT信号线应通过10kΩ~100kΩ的上拉电阻连接到VDD，防止浮空导致通信异常。
6
若使用SPI模式，请将CD/DAT3引脚拉低；若使用SD模式，则保持该引脚悬空或由内部上拉拉高。
7
系统设计时请遵循ACMD41、CMD2、CMD3、CMD7等标准初始化流程，确保正确识别和配置存储卡。
8
不支持单块擦除操作（ERASE_BLK_EN=1），擦除单位为扇区或更大区块。
9
严禁在未完成初始化的情况下直接写入数据，否则可能导致数据损坏或卡死。
10
支持热插拔操作时，必须按照规范执行断电流程，即VDD降至0.5V以下并保持1ms以上，同时CLK、CMD、DAT线应置为逻辑0或断开连接。
11
长期存储时，建议存放于干燥、避光环境中，避免高温和静电影响。
12
本产品为贴片式元件，焊接时应使用回流焊工艺，注意温度曲线控制，避免虚焊或过热损伤。
SDTRUVAL(信德) 1Gb SD NAND 消费级 贴片式TF卡 SLC SDNAND 小型封装6x8mm
价格：￥9.31
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