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INS2040QC

带双PWM输入的半桥GaN驱动器，适用于高低侧GaN FET，具备内置自举二极管和过温保护

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品牌名称: Innoscience(英诺赛科)
商品型号: INS2040QC
商品编号: C50327347
商品封装: QFN-15(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.101克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

INS2040专为半桥拓扑中的高端和低端GaN FET驱动而设计。它有两个逻辑输入，用于通过互锁控制高端和低端驱动器，且两个驱动器都有分离输出，可分别调整导通和关断速度。当低端驱动器导通时，一个250V的内部自举二极管从PVCC为高端自举电容充电。为保护GaN FET的栅极免受过高电压应力影响，两个驱动器都采用专用的5V LDO，以精确保持相同的驱动电压。即使SW和PGND的共模电压范围分别为 -5V至200V和 -5V至5V，它也能提供快速的传播延迟和出色的延迟匹配。INS2040提供重要的保护功能，包括独立的电源欠压锁定和过温保护。强大的驱动能力和出色的延迟匹配使INS2040适用于高功率和高频应用。

商品特性

200V集成半桥栅极驱动器
带UVLO保护的5V紧密稳压高端和低端驱动器电源
分离输出，可调节导通/关断速度
2A上拉和4A下拉驱动能力
带互锁的双PWM逻辑输入
集成自举二极管
快速传播延迟（典型值25ns）
出色的延迟匹配（典型值1ns）
SW和PGND：直流/瞬态高达±5V
140μA低静态电流
15引脚QFN 4mm×4mm封装

应用领域

高压半桥或全桥转换器
图腾柱PFC、LLC、AHB、有源钳位反激式
家用电器、工厂自动化和工业逆变器的电机驱动器
电池形成、太阳能微型逆变器

数据手册PDF

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