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SI7806ADN-T1-GE3-VB
N沟道；电压：30V；电流：30A；导通电阻：13(mΩ)
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- 描述
- 特性：无卤。 沟槽功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换。 低端开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7806ADN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C50313879
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V；19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 236pF |
优惠活动
购买数量
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