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BMD60N190C1
N沟道 600V 20A
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- 描述
- 超结 MOSFET,600V,20A,190mΩ@10V
- 商品型号
- BMD60N190C1
- 商品编号
- C50153975
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 152W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BMD60N190C1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点。
商品特性
- 由于极低的品质因数（FOM），损耗极低。
- 导通电阻（Rdson）与栅极电荷（Qg）的乘积以及输出电容存储能量（Eoss）极低。
- 具有极高的换向鲁棒性。
应用领域
- 个人电脑电源。
- 服务器电源。
- 电信设备。
- 太阳能逆变器。
- 汽车超级充电器。
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