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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 130mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 60mA | |
| 工作电压 | 10V~18V | |
| 上升时间(tr) | 60ns | |
| 下降时间(tf) | 200ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
BS2101F 是一款单片式高低侧栅极驱动 IC，可通过自举操作驱动高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。 浮动通道可用于在高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 600V。 逻辑输入可使用 3.3V 和 5.0V。 欠压锁定 (UVLO) 电路可防止当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时出现故障。
商品特性
- 用于自举操作的浮动通道，最高可达 +600V
- 栅极驱动电源范围为 10V 至 18V
- 双通道内置欠压锁定功能
- 兼容 3.3V 和 5.0V 输入逻辑
- 双通道传播延迟匹配
- 输出与输入同相
应用领域
- MOSFET 和 IGBT 高端驱动应用