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BSS84
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- PMOS 漏源电压(Vdss)：50V VGS=±20V 连续漏极电流(Id):0.13A 导通电阻(RDS(on)):5Ω@10V,0.13A 耗散功率(Pd);0.225W
- 品牌名称
- PAKER(派克微)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C49652778
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0303克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V；4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.77nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.9pF |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 无卤且符合 RoHS 标准