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RGS80TSX2DHRC11
1200V、40A场截止型沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
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- 描述
- 特性：低集电极-发射极饱和电压。 短路耐受时间10μs。 通过AEC-Q101认证。 内置超快速软恢复FRD。 无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：汽车和工业用通用逆变器
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RGS80TSX2DHRC11
- 商品编号
- C507505
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 555W | |
| 输出电容(Coes) | 161pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@6.1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.82nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 49ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 199ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 198ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF |
优惠活动
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起订量：1 个30个/管
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