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HG6288LQ/TR
HG6288LQ/TR
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- 描述
- 三相 250V 栅极驱动器
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG6288LQ/TR
- 商品编号
- C49518603
- 商品封装
- QFN-24(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 3 | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 4.9V~20V | |
| 上升时间(tr) | 46ns | |
| 下降时间(tf) | 45ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 330uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
一款集成了三个独立半桥栅极驱动电路的集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT而设计，可在高达+250V的电压下工作。内置VCC/VBS欠压保护功能，防止功率管在电压过低时工作；还集成了直通防止电路和死区时间，有效防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT发生直通，从而保护功率器件。此外，芯片内置输入信号滤波功能，以抵御输入噪声干扰。
商品特性
- 悬浮电压 +250V
- 电源电压工作范围：4.9V~20V
- 集成三个独立的半桥驱动
- 最大输出电流 +1.5A / -1.8A
- 3.3V/5V输入逻辑兼容
- VCC/VBS欠压保护
- 内置直通防止功能
- 内置250ns死区时间
- 内置输入滤波功能
- 输出与输入同相
应用领域
- 三相直流无刷电机驱动