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WNMD2154-6/TR
2个N沟道 耐压:20V 电流:0.88A
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- 描述
- WNMD2154 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、负载开关和电平转换
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD2154-6/TR
- 商品编号
- C506242
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@1.8V,0.35A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
WNMD2154是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、负载开关和电平转换。标准产品WNMD2154不含铅。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT-563
应用领域
- DC-DC转换电路
- 负载开关
- 电平转换