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AO3401A
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，适用于PWM和电源管理应用
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- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- AO3401A
- 商品编号
- C49396278
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 最大漏源电压(VDS(max))=-30V
- 最大漏极电流(ID(max))=-4.1 A
- 栅源电压(VGS)=-10V时,导通电阻(RDS(ON))<55mΩ(最大值)
- 栅源电压(VGS)=-4.5V时,导通电阻(RDS(ON))<68mΩ(最大值)
- 栅源电压(VGS)=-2.5V时,导通电阻(RDS(ON))<96mΩ(最大值)
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电源管理
- 负载开关