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SI2302A
N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- SI2302A
- 商品编号
- C49353153
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品概述
SI2302A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）。该器件适用于用作单向或双向负载开关。
商品特性
- N沟道增强型场效应晶体管
- 漏源电压（VDSS）= ，漏极电流（ID）= 6.0A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(on)） < 30mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(on)） < 40mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 1.8V时，导通电阻（RDS(on)） < 73mΩ