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LMTVS2200DRVR
扁平夹式浪涌抑制装置，22V和24V系统EOS保护
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- 描述
- 用于22V和24V系统的EOS事件。具有准确且恒定的触发电压、出色的钳位性能和稳定的温度特性，能为系统提供更全面的保护。当发生EOS事件时，触发电路可准确开启内置场效应晶体管以释放电流。由于内置泄漏场效应晶体管的导通电阻非常低，在指定的峰值脉冲电流范围内，钳位电压几乎恒定
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- LMTVS2200DRVR
- 商品编号
- C49330883
- 商品封装
- DFN2X2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 浪涌保护器 | |
| FET类型 | 内置FET | |
| 通道数 | 1 | |
| 阈值电压 | - | |
| 触发电流 | - | |
| 工作电压 | 22V；24V | |
| 复位电压(Vreset) | - | |
| 安装方式 | 表面安装 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 长度 | 2mm | |
| 宽度 | 2mm | |
| 高度 | 0.68mm | |
| 功能特性 | 过压钳位保护 |
商品概述
扁平钳位浪涌抑制器件 LMTVS2200DRVR 用于 22V 和 24V 系统中的过电应力事件保护。该器件具有精确且恒定的触发电压、优异的钳位性能和稳定的温度特性，可为系统提供更全面的保护。当过电应力事件发生时，触发电路精确导通内置场效应晶体管以泄放电流。由于内置泄放场效应晶体管的导通电阻极低，LMTVS2200DRVR 的钳位电压在规定的峰值脉冲电流范围内近乎恒定。与传统的瞬态电压抑制二极管相比，LMTVS2200DRVR 耗散的浪涌能量更少，能够通过其自身特性高效地将过压和过流事件转移至地，从而避免增加自身热损耗。
LMTVS2200DRVR 旨在保护工作电压高达 22V 和 24V 的电源总线，其瞬态峰值电流可达 40A (tp = 8/20 µs)。该器件采用小型 DFN 2mm × 2mm × 0.68mm 6引脚封装，与传统解决方案相比，可显著减小电路板空间。
商品特性
- 符合 IEC 61000-4-2 标准第 4 级静电放电保护，接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV
- 高峰值脉冲电流能力：40A (tp = 8/20 µs) ，符合 IEC 61000-4-5 标准
- 高电气快速瞬变耐受电压：±4kV (100kHz 和 5kHz，5/50ns)，符合 IEC 61000-4-4 标准
- 高峰值脉冲电流能力：符合 IEC 61643-321 标准 (10/1000 µs) 5A
- 钳位电压在额定峰值脉冲电流范围内近乎恒定
- 工作电压：22V，24V
- 低漏电流：典型值 50nA @ 24V
- 低电容：典型值 230pF @ 24V
应用领域
- USB PD
- USB Type-C
- 存储设备
- 工业设备
- 笔记本电脑和平板电脑