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VSP2R8N10HSP-G实物图
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VSP2R8N10HSP-G

N沟道 100V 160A

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品牌名称
Vergiga(威兆)
商品型号
VSP2R8N10HSP-G
商品编号
C49308755
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.165克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))2.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)298W
阈值电压(Vgs(th))2.8V
栅极电荷量(Qg)62nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.905nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)1.355nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 增强型
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • VitoMOS II技术
  • 100%雪崩测试、100%栅极电阻Rg测试
  • 优化栅极电荷Qg、栅漏电荷Qgd和Qgd/Qgs比,以最小化开关损耗
  • 无铅
  • 无卤

数据手册PDF