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FJBD4N8GT6L9-SKC
DDR4 内存芯片(8Gb 512Mx16 2666)
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- 描述
- DDR4 SDRAM 8Gb 512Mx16 2666 96BGA （仅限单板单颗使用）
- 品牌名称
- KFSemi(堃方)
- 商品型号
- FJBD4N8GT6L9-SKC
- 商品编号
- C49302893
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.333GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 工作电压：VDD = VDDQ = 1.2V ± 0.06V，VPP = 2.5V（2.375V ~ 2.75V）
- 存储体结构：8Gb DDR4 SDRAM x8 版本为 16 个存储体（4 个存储体组），x16 版本为 8 个存储体（2 个存储体组）
- 预取位数：8 位
- 突发长度：支持突发长度为 8 和突发截断长度为 4
- 数据选通：双向/差分数据选通
- 支持片内终端匹配
- 支持异步复位
- 支持 ZQ 校准
- 可编程列地址选通延迟：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22
- 可编程附加延迟：0、CL-2 或 CL-1 个时钟周期
- 可编程列地址选通写入延迟：DDR4-2400 为 12、14；DDR4-2666 为 14、18；DDR4-2933 和 DDR4-3200 为 16、20
- 平均刷新周期：在 0°C ~ 85°C 工作温度下为 7.8 μs