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WMD7N50RC
N沟道 500V 7A
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- 描述
- 漏源电压 500V 连续漏极电流 7A 导通电阻 1.1Ω@10V,2.5A 耗散功率 62.5W
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMD7N50RC
- 商品编号
- C49297408
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51352克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 532pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
WMOS R系列是第一代快速恢复VDMOS产品家族，可显著降低导通电阻和实现超低栅极电荷，适用于需要高功率密度和高效率的应用。该系列产品性能稳定且符合RoHS标准。
商品特性
- 典型值:VGS = 10 V时,RDS(on) = 1.1 Ω
- 快速体二极管
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机控制