F35SQB002G-WWT

2Gbit SPI NAND Flash

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描述: 是一款2G位（256Mx8bit）的串行NAND闪存，工作在单一3.3V VCC上。该设备支持标准串行外设接口（SPI）、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和SIO3（HOLD#）。支持JEDEC标准制造商和设备ID、唯一ID、一个参数页和62个OTP页。芯片内有一个内部8位ECC逻辑，默认启用。内部ECC可以通过命令禁用或启用。
品牌名称: FORESEE(江波龙)
商品型号: F35SQB002G-WWT
商品编号: C49297080
商品封装: WSON-8(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.839533克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	10uA
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存；软件写保护功能
	ECC	有

商品概述

F35SQB002G 是一款 2Gb（256M×8位）串行 NAND 闪存，工作电压为单 3.3V VCC。该器件支持标准串行外设接口、双路/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 SIO0（数据输入）、SIO1（数据输出）、SIO2（写保护）和 SIO3（保持）。F35SQB002G 支持符合 JEDEC 标准的制造商与器件 ID、 ID、一个参数页和 62 个 OTP 页。芯片内置一个 8 位 ECC 逻辑，默认启用。可通过命令禁用或启用内部 ECC。

商品特性

电压供电：VCC：2.7V ~ 3.6V
组织架构（内部 ECC 关闭）：存储单元阵列：(256M + 16M) 字节；页大小：(2k + 128) 字节；块大小：64 页，(128k + 8k) 字节
组织架构（内部 ECC 开启）：存储单元阵列：(256M + 8M) 字节；页大小：(2k + 64) 字节；块大小：64 页，(128k + 4k) 字节
串行接口：标准 SPI：CLK， CS#， DI， DO， WP#， HOLD#；双路 SPI：CLK， CS#， SIO0-SIO1， WP#， HOLD#；四路 SPI：CLK， CS#， SIO0-SIO3
高性能：166 MHz 标准/双路/四路 SPI 时钟；83 MHz DTR 读取 SPI 时钟；页编程时间：400 μs（典型值）；块擦除时间：3ms（典型值）
低功耗：待机：10 μA（典型值）；页读取：10mA（典型值）；编程/擦除：15 mA（典型值）
先进特性：片上 8 位 ECC，用于存储阵列；软件和硬件写保护； ID；一个 2kB 参数页；六十二个 2kB OTP 页；承诺的黄金块 0
高可靠性：耐久性：高达 100k 次循环；数据保持：10 年

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	2Gbit
	接口类型	SPI
	时钟频率(fc)	166MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-