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BCBF170N650T1
BCBF170N650T1
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- 描述
- SiC MOSFET,1700V, 650mΩ@18V
- 商品型号
- BCBF170N650T1
- 商品编号
- C49297070
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 183pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 17.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ |
商品特性
- 高阻断电压
- 高结温下的低导通电阻
- 低电容下的高速开关
- 低反向恢复电荷的快速本征二极管
应用领域
- DC/DC转换器
- 太阳能逆变器
- 电池充电器
- 电机驱动器
- 辅助电源