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SiLM22868CA-DG

600V 高低侧驱动器

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描述: 是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
品牌名称: Sillumin(数明半导体)
商品型号: SiLM22868CA-DG
商品编号: C49274308
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.185克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	170ns
	传播延迟 tpHL	170ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.6V
	输入低电平(VIL)	1.5V
	静态电流(Iq)	170uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

SiLM22868是一款高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高边和低边参考输出通道。其采用专有的高压集成电路和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑电平可低至3.3V。输出驱动器级具有高脉冲电流缓冲级，旨在最小化驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，简化了在高频应用中的使用。浮空通道可用于驱动高边配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

商品特性

专为自举操作设计的浮空通道
完全工作电压高达+600V
低VCC工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围7V至20V
双通道欠压锁定
兼容3.3V和5V逻辑
交叉导通预防逻辑
带下拉功能的CMOS施密特触发输入
双通道匹配的传播延迟
输出与输入同相
符合RoHS标准
SOP8封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	7V~20V
	上升时间(tr)	20ns