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SFP60N100
N沟道 100V 80A
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- 描述
- N沟道 100V 36A 30mΩ@10v 功率(Pd)78W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- 品牌名称
- 赛力康电气
- 商品型号
- SFP60N100
- 商品编号
- C49257095
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.512nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 96pF |
商品概述
IRF5305PBF(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 IRF5305PBF(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的 Qg x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 符合 JEDEC 标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源(UPS)