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BUK7Y2R0-40HX-VB实物图
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BUK7Y2R0-40HX-VB

N沟道；电压：40V；电流：150A；导通电阻：0.7(mΩ)

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描述
台积电流片，长电科技封装；LFPAK56；N—Channel沟道；40V；150A；RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
BUK7Y2R0-40HX-VB
商品编号
C49253738
商品封装
LFPAK56​
包装方式
编带
商品毛重
0.64克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))0.7mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)6nF
反向传输电容(Crss)450pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.65nF

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