温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCEP023N10T
N沟道第二代超级沟槽功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和QG组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP023N10T
- 商品编号
- C49247886
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 365W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 252nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |