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HKTQ30P03
低压MOSFET（P沟道）
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- 描述
- P-ch -30V -60A
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTQ30P03
- 商品编号
- C49238169
- 商品封装
- PDFN3333
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -30 V,在VGS = -10 V、ID = -10 A条件下,RDS(ON) ≤ 10 mΩ
- 超低导通电阻
- 表面贴装器件
应用领域
- 低功耗DC-DC转换器应用
- 负载开关应用
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