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GDQ3BFAM-CJ
GDQ3BFAM-CJ
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- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GDQ3BFAM-CJ
- 商品编号
- C49195173
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 45mA | |
| 刷新电流 | 4mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；CRC功能；ZQ校准功能；自动预充电功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- 电源：VDD = VDDQ = 1.2V (1.14V ~ 1.26V)；VPP = 2.5V (2.375V ~ 2.75V)
- JEDEC标准封装：96球FBGA (x16)
- 阵列配置：8个存储体 (x16)，2组，每组4个存储体
- 8n位预取架构
- 突发长度：支持8和4（带突发截断）
- 可编程列地址选通延迟
- 可编程列地址写延迟
- 数据输入采用内部生成的VREF
- 写数据支持数据掩码
- 片上终端：支持标称、驻留和动态片上终端
- 接口：1.2V伪漏极开路输入/输出
- 差分时钟和数据选通输入
- 支持每DRAM可寻址性
- 支持数据总线翻转
- 支持上电异步复位
- 支持最大省电模式
- 预充电：每个突发访问支持自动预充电选项
- 工作外壳温度：-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
- 支持自动刷新和自刷新模式
- 平均刷新周期：-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C时为7.8μs；85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9μs
- 支持2倍、4倍细粒度刷新模式，以实现更小的tRFC
- 支持可编程数据选通前导码
- 支持命令地址奇偶校验
- 支持写循环冗余校验
- 支持连接性测试模式
- 支持降速模式
- 通过ZQ引脚进行输出驱动器校准
- 符合JEDEC JESD-79-4D标准
- 符合RoHS标准