MUN2211-DW
SOT-23封装偏置电阻晶体管(NPN型)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
- 品牌名称
- DOWO(东沃)
- 商品型号
- MUN2211-DW
- 商品编号
- C49195051
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电压(VO(on)) | 200mV | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络,即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了它们。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SOT - 23封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间和元件数量
- 提供无铅封装
相似推荐
其他推荐
