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G030P04T
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-185A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.6mΩ@10V 3.2mΩ@4.5V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G030P04T
- 商品编号
- C49109532
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.838克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V；2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 206nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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