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NX3DV42GU-HXY

高速USB2.0单刀双掷模拟开关

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描述: 该模拟开关/多路复用器采用双通道单刀双掷（SPDT）开关结构，支持1.5V至5.5V宽工作电压范围，适用于多种电源供电场景。器件导通电阻（Ron）典型值为1.5Ω，可有效降低信号路径损耗，提升传输效率。其双通道独立控制特性，支持同时进行多路信号切换，适用于需要灵活路由控制的电路设计。常用于消费类电子产品中的信号选择、外设切换、传感器接口管理以及便携式设备中的低功耗模拟或数字信号控制等应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NX3DV42GU-HXY
商品编号: C49108274
商品封装: QFN-14(1.4x1.8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.023737克(g)

商品参数

商品概述

NX3DV42GU是一款适用于USB Type-C系统的双向低功耗双端口高速USB 2.0模拟开关，集成了保护功能。该器件配置为双路2:1或1:2开关，针对USB Type-C系统中USB 2.0 DP/DM线路的使用进行了优化。该器件能够实现真隔离，即使当COM+/-电压超过VCC时，也只有极小的电流会回流至电源。该器件具有低比特间偏移和高通道间噪声隔离特性，兼容多种标准，例如高速USB 2.0 (480Mbps)。每个开关均为双向，对输出端的高速信号衰减极小或没有衰减。其带宽足够宽，能够以良好的信号完整性传输高速USB 2.0差分信号 (480 Mb/s)。SEL引脚的控制逻辑兼容1.8V GPIO。NX3DV42GU采用QFN1418(X-QFN-10(1.4x1.8))封装，无铅且无卤素，使其成为移动设备和空间受限应用的理想选择。

商品特性

引脚兼容FSUSB42、NX3DV42、WAS7227、SGM7227、RS2228、BL1532
低导通电阻，当VCC=5V时，Ron=1.5Ω，控制引脚兼容1.8V逻辑电平
COM+/-电压可超过VCC，实现真隔离，即使电源失效时亦然
高关断隔离度：-100dB @ 100KHz
低通道间串扰：-97dB @ 100KHz
高带宽(-3dB @800MHz)，适用于USB2.0高速信号路由
低静态电流(<2uA)，具有极宽的工作电压范围(1.5V ~ 5.5V)

应用领域

任何使用USB Type-C或Micro-B连接器的场合
手机、平板电脑和笔记本电脑

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	2:1
	通道数	2
	导通电阻(Ron)	1.5Ω@5V
	工作电压	1.5V~5.5V
	导通电容(Con)	7pF

	属性	参数值
	导通时间(ton)	200ns
	关闭时间(toff)	200ns
	带宽	800MHz
	工作温度	-40℃~+85℃
	传播延迟(tpd)	-
	功能特性	双向模拟通道；断电隔离