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GBI7A56NMAR
120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
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- 描述
- 120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI7A56NMAR
- 商品编号
- C49073985
- 商品封装
- DFN-8L(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 7ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 28ns | |
| 传播延迟 tpHL | 24ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 900mV~1.3V | |
| 静态电流(Iq) | 240uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 |
商品概述
GBI7A56是一款高压栅极驱动器，设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧N沟道FET。两个输出由两个TTL兼容输入信号独立控制。浮动高侧驱动器能够在HS引脚相对于VSS高达120V的电压下工作。集成了一个120V自举二极管，用于为高侧栅极驱动的自举电容充电。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定保护。该器件提供4A峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力，适用于半桥或同步降压配置中使用的MOSFET。其最小24ns输入到输出传播延迟和20V电源轨使其适合高频功率转换器应用。输入可接受低至-10V的负电压，HS引脚能够承受显著的负电压，从而增强系统抗噪能力。宽输入迟滞兼容TTL和CMOS低压逻辑。其工作温度范围为-40℃ ~ 150℃。GBI7A56提供DFN 4×4-8L和eSOP-8L封装。
商品特性
- 驱动高侧和低侧配置的两个MOSFET
- 4A峰值源电流/灌电流
- 8V ~ 20V宽电源电压范围
- 自举和HS引脚最大电压120V
- 输入电压能力低至-10V
- HS引脚可承受负电压（-20V）
- 快速传播延迟：上升28ns/下降24ns
- 3ns延迟匹配
- 快速上升和下降时间：带1nF电容负载时为7ns和5ns
- 欠压锁定保护
- 低静态电流：240uA
- 提供DFN4x4-8L和eSOP-8L封装
应用领域
- 功率MOSFET栅极驱动
- IGBT栅极驱动
- 开关电源
- 电机控制
- 太阳能发电