温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,3.5A | |
| 功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@520V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 1.5Ω
- 快速开关能力
- 低栅极电荷
- 符合欧盟RoHS指令的无铅产品
- 环保模塑化合物
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