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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:2A

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品牌名称
JH(晶恒)
商品型号
2N65F
商品编号
C501880
商品封装
ITO-220AB-3​
包装方式
盒装
商品毛重
2.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.4Ω@10V,1A
功率(Pd)23W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)300pF
反向传输电容(Crss@Vds)2pF
工作温度-

商品特性

  • 在VGS = 10V、ID = 1A时,RDS(ON) < 4.4Ω
  • 快速开关能力
  • 符合欧盟RoHS指令的无铅产品
  • 改善的dv/dt能力,高耐用性

数据手册PDF