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OSH30N65
650V N沟道MOSFET
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- 描述
- 高品质MOS管 N沟道 电流:30A 耐压:650V 导通电阻：0.25Ω
- 品牌名称
- OSEN(欧芯)
- 商品型号
- OSH30N65
- 商品编号
- C49055732
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
GC085N65QF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 快速开关速度
- 高输入阻抗和低电平驱动
- 雪崩能量测试
- 改善的 dv/dt 能力,高耐用性
应用领域
- 高效率开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子镇流器