温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSP8N60M
1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSP8N60M
- 商品编号
- C501452
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.674克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 152W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过专门优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 7.5A、600V，VGS = 10V时，最大RDS（on）= 1.20 Ω
- 低栅极电荷（典型值29nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
相似推荐
其他推荐