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HYG006N04LS1B6
1个N沟道 耐压:40V 电流:530A
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- 描述
- 特性：40V/530A，RDS(ON) = 0.55mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 0.72mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供选择。应用：负载开关-锂电池保护板
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG006N04LS1B6
- 商品编号
- C4555912
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 530A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.55mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 233nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 182pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SI2305-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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