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MCT06P10-TP
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- MCT06P10-TP
- 商品编号
- C48937501
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款MCT06P10采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 出色的封装,散热性能良好