ASK831BSA

ASK831BSA是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。该器件采用高压单晶圆工艺，在同一晶圆上集成了500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入范围内可保证高精度的5V默认输出。芯片内部最小关断时间固定为32us并带有抖频功能，在保证输出功率的同时优化了电磁干扰性能。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松实现低于50mW的待机功耗。该器件集成了完备的保护功能，包括VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。它采用高压集成工艺，适用于小家电和辅助电源应用所需的离线式降压和升降压电路，也可用于替代线性电源。芯片经过内部优化，可兼容超低压输入应用。其静态工作电流典型值为150uA，降低了对于VDD电容大小的要求。系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低，因此工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOSFET电流的压差作为内部过流比较器的输入。为避免开通瞬间的干扰，设计有典型值为400ns的前沿消隐电路。在轻载条件下，系统工作在断续模式，并会自动降低峰值电流基准以满足超低待机要求。芯片内部集成有典型周期为4ms的软启动功能。当发生过流或短路情况时，如果在典型值128ms的时间内每个振荡周期高压MOSFET都被开通，芯片将识别为故障并停止开关动作，随后进入自动重启模式。为避免电感峰值电流过大，内部设计有异常过流检测模块，典型阈值为250mA。当CS电压高于该阈值时，内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。内部集成的过热保护电路检测芯片结温，当超过典型值155°C时系统进入自动重启模式。在自动重启和VDD振荡模式中，高压MOSFET不允许导通，同时VDD电容上电压持续在4.87V和4.38V之间振荡。当振荡周期计数超过511次时芯片退出保护模式并重新开始工作。设计的软驱动功能优化了系统电磁干扰性能。为确保系统工作稳定，推荐系统工作于浅度连续导通模式状态，即电感电流纹波ΔI接近于过流保护峰值电流。具体感量计算公式如下：L = (Vo + Vf) × Toff_min / ΔI，其中Vo为输出电压，Vf为续流二极管压降，Toff_min为芯片设定内部最小关断时间，约32us。

• 高精度5V默认输出
• 集成500V高压MOSFET和高压启动电路
• 集成采样电阻，超低系统成本
• 支持超低压输入应用
• 支持降压和升降压电路
• 开关式峰值电流模式控制
• 超低待机功耗小于50mW
• 超低工作电流，支持小VDD电容
• 集成软启动电路
• 集成31KHz带抖频功能振荡器
• 集成式保护功能：过载保护、过热保护、逐周期电流限制、前沿消隐、VDD欠压保护
• 封装：SOT23-3L

• 小家电电源
• 辅助供电