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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备的负载开关
- 电池开关