温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSA50N25M
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- TO-3P，N沟道，50N25，250V，50A，0.078Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA50N25M
- 商品编号
- C48735723
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.837333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.521nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导(Truesemi)先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计,旨在最大限度降低导通电阻、提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- 50A、250V,最大导通电阻RDS(on)=0.078Ω(VGS =10V时)
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 符合RoHS标准的器件
应用领域
- 同步整流
- 逆变器系统中的电源管理