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TSA50N25M
N沟道MOSFET
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- 描述
- TO-3P，N沟道，50N25，250V，50A，0.078Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA50N25M
- 商品编号
- C48735723
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.837333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.521nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品概述
PT412采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 高功率和大电流处理能力
- 提供无铅产品
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理